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中科大学生代表团参加合肥集成电路科技馆开业典礼暨胡正明院士报告会

发布者(zhe):李士博发布(bu)时间:2017-05-22浏览次数:971

中科大学生代表团参加合肥集成电路科技馆开业典礼暨胡正明院士报告会

为了响(xiang)应国家大力发展半导体微电子行业(ye)的(de)(de)号召,激发我校学(xue)(xue)生对于学(xue)(xue)习(xi)集成电路(lu)的(de)(de)学(xue)(xue)习(xi)热情,了解(jie)学(xue)(xue)习(xi)半导体微电子相关专业(ye)的(de)(de)前(qian)沿领(ling)域和基础(chu)知识,517日下午,应(ying)北京兆易创新(xin)科(ke)技股(gu)份有限公(gong)公(gong)司邀请,在IEEE固态电路协(xie)会中(zhong)国科大学生分会和中(zhong)科大微(wei)(wei)纳电子(zi)系统集(ji)成(cheng)研究中(zhong)心的组织下,我(wo)校(xiao)微(wei)(wei)电子(zi)集(ji)成(cheng)电路相关专业的研究生和本科生40余位同学组成(cheng)代表(biao)团(tuan),来到合肥集成(cheng)电路科技馆参(can)加科技馆的(de)开(kai)业典礼(li)仪式(shi)暨(ji)胡正明院(yuan)士(shi)报告(gao)会。

活动的(de)第(di)一部分(fen)是集体(ti)(ti)参(can)加(jia)胡正明(ming)教(jiao)授的(de)讲座,胡教(jiao)授在讲座中详细(xi)讲述了自(zi)己(ji)带领团队发(fa)明(ming)FinFet的经历(li),并指出了基于FinFet结(jie)构近年来更(geng)新的半导体工艺结(jie)构,并指出半导体工艺还有着更(geng)大的发展空(kong)间。讲座间隙(xi),胡教授还与我校同学们热情(qing)互(hu)动,他鼓励同学们坚定信念,努力学习(xi),中科大是国家尖端微电子(zi)科学的重要科研和人才培养基地,国家尖端微电子(zi)集成电路事业必(bi)将在同学们的奋(fen)斗(dou)下(xia)迎来新一(yi)轮(lun)发展高潮。

活动(dong)的(de)第二部分是参(can)观集成电路科技馆,在解(jie)说员的(de)精(jing)彩解(jie)说下,同学们领略(lve)了中国五千年来通信方式(shi)的(de)变(bian)化,了解(jie)了半导体(ti)器件和(he)电路的(de)生产(chan)过(guo)程,深刻体(ti)会到了当今时代(dai)对于半导体(ti)行业发展(zhan)的(de)迫(po)切需(xu)求。

经(jing)过(guo)这次活动,同学(xue)们对(dui)半(ban)导体(ti)集成(cheng)电路发(fa)展历程及其(qi)前沿方(fang)向(xiang)都(dou)有了深刻的(de)(de)了解和(he)学(xue)习(xi),相信这次活动将会激励科大人(ren)对(dui)于半(ban)导体(ti)行(xing)业的(de)(de)学(xue)习(xi)热情,为祖国(guo)的(de)(de)芯(xin)片事(shi)业的(de)(de)富强(qiang)和(he)世(shi)界半(ban)导体(ti)行(xing)业的(de)(de)繁荣做出贡献!

本次活动由北京兆(zhao)易创新科(ke)(ke)技股(gu)份有限公公司、合肥格易集成电路有限公司、合肥“兆(zhao)易集成电路科(ke)(ke)技馆(guan)”主办。中科(ke)(ke)大学生(sheng)代表团(tuan)由IEEE固态电路协(xie)会(hui)中国科大学生分会(hui) (IEEE USTC-SSCS Student Chapter) 和微纳(na)电子系统集成研究中(zhong)心(xin) (USTC MESIC) 组织并全程协助参加本次活(huo)动。


主讲人介绍:

胡正明(Chenming Hu)教授,微电子(zi)科学(xue)家。19477月出生于中国北京。1973年获得美(mei)国(guo)加(jia)州(zhou)大(da)学(xue)(xue)伯克(ke)(ke)利分(fen)校博士学(xue)(xue)位。现任美(mei)国(guo)加(jia)州(zhou)大(da)学(xue)(xue)伯克(ke)(ke)利分(fen)校杰(jie)出讲(jiang)座(zuo)教授、美(mei)国(guo)工程科(ke)学(xue)(xue)院(yuan)院(yuan)士、中国(guo)科(ke)学(xue)(xue)院(yuan)外籍院(yuan)士、前TSMC技术总(zong)裁,IEEE Fellow、美国国家技术和创(chuang)新奖获(huo)得者、美国国家科学(xue)奖章获(huo)得者(奥巴马总统亲自为(wei)胡院士颁奖)。

胡(hu)正明(ming)教授是(shi)微电子微型化物理及(ji)可(ke)靠性物理研(yan)究的(de)一位重(zhong)要(yao)开(kai)拓(tuo)者,对半导(dao)体(ti)器件的(de)开(kai)发及(ji)未来的(de)微型化做出了重(zhong)大贡(gong)献。胡(hu)院士的(de)主要(yao)成就为领导(dao)研(yan)究出BSIM,从(cong)实际MOSFET晶体管的(de)复杂物理推演出数(shu)(shu)学(xue)模型,该数(shu)(shu)学(xue)模型于1997年(nian)被国际(ji)上(shang)38家大(da)公司参(can)与的(de)晶体管(guan)模型理事会选为设(she)计芯片(pian)的(de)第一个且唯一的(de)国际标准;发明(ming)了(le)在国际上极受注目的(de)FinFET等(deng)多种新结构器件(jian);对微电(dian)(dian)(dian)(dian)子器件(jian)可靠性物理(li)研究贡献突(tu)出(chu);首(shou)先提出(chu)热电(dian)(dian)(dian)(dian)子失效的(de)物理(li)机(ji)制,开发出(chu)碰撞电(dian)(dian)(dian)(dian)离(li)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)快速预测器件(jian)寿命的(de)方法(fa)(fa),并且提出(chu)薄氧化层失效的(de)物理(li)机(ji)制和用高(gao)电(dian)(dian)(dian)(dian)压快速预测薄氧化层寿命的(de)方法(fa)(fa)。首(shou)创了(le)在(zai)器件(jian)可靠性物理(li)的(de)基(ji)础(chu)上的(de)IC可(ke)靠性的(de)计(ji)算机数(shu)值模拟工具。



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